中国山东网淄博12月20日讯 (记者 寇亚群 通讯员 束言) 12月14日，高新区管委会与国家计划千人专家李伟团队共同签署了IGBT芯片项目。项目主要研发、生产电力电子所需功率半导体系列产品：第一类是功率芯片，主要为IGBT芯片，Power MOSFET芯片和用于驱动功率器件的驱动芯片;第二类是功率模块，包括IGBT模块，智能模块(IPM)，与其它功率模块(Power MOSFET，晶闸管)等。
据了解，该项目总投资10亿元人民币，五年项目全部投产后，实现销售收入不低于60亿元人民币，实现利润不低于25亿元人民币。
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